參數(shù)資料
型號： AO8806
廠商： ALPHA
英文描述： LJT 6C 6#12 SKT WALL RECP
中文描述： 常見的漏雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： AO8806
AO8806
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=1.5V
2V
2.5V
8V
3V
4.5V
0
4
8
12
16
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
1.00
1.20
1.40
1.60
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=1.8V
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
2
4
6
8
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=1.8V
V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V
I
D
=6A
25°C
125°C
I
D
=6A
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO8808A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8808AL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8808 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8808L Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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