參數資料
型號： AO8801L
廠商： ALPHA
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙P溝道增強型場效應晶體管
文件頁數： 1/4頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： AO8801L
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
73
96
63
Max
90
125
75
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±8
-4.7
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Drain-Source Voltage
-20
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
-3.7
-30
1.4
0.9
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO8801
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -4.7 A (V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 42m
(V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 53m
(V
GS
= -2.5V)
R
DS(ON)
< 70m
(V
GS
= -1.8V)
ESD Rating: 3000V HBM
General Description
The AO8801 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and operation
with gate voltages as low as 1.8V. This device is
suitable for use as a load switch or in PWM applications.
It is ESD protected.
Standard Product AO8801 is Pb-
free (meets ROHS & Sony 259 specifications).
AO8801L is a Green Product ordering option. AO8801
and AO8801L are electrically identical.
D
S1
G1
D2
S2
G2
G1
S1
S1
D1
G2
S2
S2
1
2
3
4
8
7
6
5
TSSOP-8
Top View
D2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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