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參數(shù)資料
| 型號： | AO8804 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | LJT 6C 6#12 SKT WALL RECP |
| 中文描述： | 常見的漏雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 379K |
| 代理商： | AO8804 |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
64
89
53
Max
83
120
70
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±12
8
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Drain-Source Voltage
20
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
6.3
30
1.5
1.08
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO8804
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field
Effect Transistor
March 2003
Features
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 8A
R
DS(ON)
< 13m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 14m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 19m
(V
GS
= 2.5V)
R
DS(ON)
< 27m
(V
GS
= 1.8V)
ESD Rating: 2000V HBM
General Description
The AO8804 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltages as low as 1.8V while
retaining a 12V V
GS(MAX)
rating. It is ESD protected.
This device is suitable for use as a uni-directional or
bi-directional load switch, facilitated by its common-
drain configuration.
G1
S1
S1
D1/D2
G2
S2
S2
D1/D2
1
2
3
4
8
7
6
5
TSSOP-8
Top View
G1
D1
S1
G2
D2
S2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO8806 | LJT 6C 6#12 SKT WALL RECP |
| AO8808A | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8808AL | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8808 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8808L | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO8804_09 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8804_100 | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1810pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 |
| AO8804L | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1810pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 |
| AO8806 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8806_07 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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