參數(shù)資料
型號(hào)： AO6706L
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 169K
代理商： AO6706L
Symbol
V
DS
V
GS
Units
V
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
DM
V
KA
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
FM
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Units
R
θ
JL
R
θ
JL
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
MOSFET
30
±12
3.3
2.6
10
Schottky
Continuous Drain Current
A
Pulsed Drain Current
B
Schottky reverse voltage
I
D
A
20
2
1
10
0.92
Continuous Forward Current
A
Pulsed Forward Current
B
I
F
A
W
0.7
0.59
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
-55 to 150
Power Dissipation
P
D
1.15
Parameter: Thermal Characteristics MOSFET
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Thermal Characteristics Schottky
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Typ
80.3
117
43
Max
110
150
80
t
≤
10s
Steady-State
Steady-State
R
θ
JA
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
Steady-State
R
θ
JA
109.4
136.5
58.5
135
175
80
°C/W
AO6706
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
with Schottky Diode
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 3.6A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 65m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 75m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 160m
(V
GS
= 2.5V)
SCHOTTKY
V
DS
(V) = 20V, I
F
= 1A, V
F
<0.5V@0.5A
General Description
The AO6706 uses advanced trench technology to provide
excellent R
DS(ON)
and low gate charge. A Schottky diode is
provided to facilitate the implementation of a bidirectional
blocking switch, or for DC-DC conversion applications.
Standard Product AO6706 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AO6706L is a Green Product ordering
option. AO6706 and AO6706L are electrically identical.
A
K
G
D
S
TSOP6
Top View
G
S
A
D
N/C
K
1
2
3
6
5
4
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO6801 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6801L Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6802 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6802L Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6804 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO6800 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 3.4A 6-TSOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO6800L_003 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 3.4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:235pF @ 15V 功率 - 最大值:1.15W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO6801 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6801_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Dual P-Channel MOSFET
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