參數(shù)資料
型號： AO6704
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
中文描述： N溝道增強模式場效應晶體管肖特基二極管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 172K
代理商： AO6704
Symbol
V
DS
V
GS
Units
V
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
DM
V
KA
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
FM
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Units
R
θ
JL
R
θ
JL
200
80
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
52
Thermal Characteristics Schottky
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
129
158
160
°C/W
90
130
80
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
102
51
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
≤
10s
R
θ
JA
70
Parameter: Thermal Characteristics MOSFET
Typ
Max
W
0.89
0.5
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
-55 to 150
Power Dissipation
P
D
1.39
0.78
A
1
Pulsed Forward Current
B
10
Schottky reverse voltage
20
1.5
Continuous Forward Current
A
I
F
A
2.9
10
Pulsed Drain Current
B
Gate-Source Voltage
±12
3.6
Continuous Drain Current
A
I
D
Parameter
Drain-Source Voltage
MOSFET
30
Schottky
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
AO6704
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
with Schottky Diode
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 3.6A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 65m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 75m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 160m
(V
GS
= 2.5V)
SCHOTTKY
V
DS
(V) = 20V, I
F
= 1A, V
F
<0.5V@0.5A
General Description
The AO6704 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. A
Schottky diode is provided to facilitate the
implementation of a bidirectional blocking switch, or
for DC-DC conversion applications.
Standard Product
AO6704 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AO6704L is a Green Product ordering
option. AO6704 and AO6704L are electrically
identical.
A
K
G
D
S
TSOP6
Top View
G
S
K
D
D
A
1
2
3
6
5
4
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關PDF資料
PDF描述
AO6704L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO6706 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6706L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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