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參數(shù)資料
| 型號： | AO4612 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 增強模式互補場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | AO4612 |
AO4612
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: P-CHANNEL
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
-Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-
G
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
10
20
30
40
50
60
-V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.001
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
C
oss
C
rss
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
-V
DS
(Volts)
-
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
μ
s
10ms
1ms
0.1s
1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C, T
A
=25°C
V
DS
=-30V
I
D
=-3.2A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=62.5°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4612L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4613 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4613L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4614 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4614L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO4612_10 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:60V Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4612L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4613 | 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 7.2/6.1A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| AO4613_001 | 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 7.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 |
| AO4613_10 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Dual P N-Channel MOSFET |
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