參數(shù)資料
型號(hào): AO4496
廠商: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 10000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: GREEN, SOIC-8
文件頁(yè)數(shù): 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 198K
代理商: AO4496
AO4496
-
+
VDC
Ig
Vds
DUT
-
+
VDC
Vgs
10V
Qg
Qgs
Qgd
Charge
Gate Charge Test Circuit & Waveform
-
+
VDC
DUT
Vdd
Vgs
Vds
Vgs
RL
Rg
Vgs
Vds
10%
90%
Res istive Switching Test Circuit & Waveforms
t
t r
d(on)
t
on
t
d(off)
t f
t off
Vdd
Vgs
Id
Vgs
Rg
DUT
-
+
VDC
L
Vgs
Vds
Id
Vgs
BV
I
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Ig
Vgs
-
+
VDC
DUT
L
Vds
Vgs
Vds
Isd
Diode Recovery Tes t Circuit & Waveforms
Vds -
Vds +
IF
AR
DSS
2
E = 1/2 LI
dI/dt
IRM
rr
Vdd
Q = - Idt
trr
AR
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4912 30 V, 0.026 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AO4914 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AOD452A 55 A, 25 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AOL1412 85 A, 30 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AOL1448 36 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO4496_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):19.5 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):715pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4496_12 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AO4498 功能描述:MOSFET N CH 30V 18A SOIC 8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4498E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4498EL 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):50nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2760pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.8 毫歐 @ 18A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000