參數(shù)資料
型號(hào)： AO4456
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 154K
代理商： AO4456
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
31
59
16
Max
40
75
24
R
θ
JL
°C
-55 to 150
A
16
120
3.1
2.0
W
Maximum
30
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
°C/W
°C/W
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
±12
20
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
I
DSM
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
Pulsed Drain Current
B
T
A
=70°C
T
A
=25°C
AO4456
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
=20A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 4.6m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 5.6m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AO4456 uses advanced trench technology with a
monolithically integrated Schottky diode to provide
excellent R
DS(ON)
,and low gate charge. This device is
suitable for use as a low side FET in SMPS, load
switching and general purpose applications. S
tandard
Product AO4456 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AO4456 is a Green Product
ordering option. AO4456 and AO4456 are electrically
identical.
D
S
G
G
S
S
S
D
D
D
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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