參數(shù)資料
型號： AO4430
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 30 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SOIC-8
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 279K
代理商： AO4430
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
31
40
59
75
RθJL
16
24
A
Repetitive avalanche energy 0.3mH
B
135
mJ
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
t ≤ 10s
RθJA
°C/W
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
V
±20
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
TA=25°C
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
18
15
80
Avalanche Current
B
30
Continuous Drain
Current
AF
Maximum
Units
Parameter
TA=25°C
TA=70°C
30
W
Junction and Storage Temperature Range
A
PD
°C
3
2.1
-55 to 150
TA=70°C
ID
AO4430
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
VDS (V) = 30V
ID = 18A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 5.5m (VGS = 10V)
RDS(ON) < 7.5m (VGS = 4.5V)
100% UIS Tested!
100% Rg Tested!
General Description
The AO4430/L uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode
characteristics and ultra-low gate resistance. This device is
ideally suited for use as a low side switch in Notebook CPU
core power conversion.
AO4430 and AO4430L are electrically identical.
-RoHS Compliant
-AO4430L is Halogen Free
G
D
S
SOIC-8
G
S
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關PDF資料
PDF描述
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