參數(shù)資料
型號(hào)： AO4409
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 15000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： GREEN, SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 249K
代理商： AO4409
AO4409
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-V
G
S
(V
o
lt
s
)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
0
5
10
15
20
25
30
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
Ciss
Coss
Crss
VDS=-15V
ID=-15A
1
10
100
1000
10000
0.00001
0.001
0.1
10
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note F)
P
o
w
e
r
(W
)
TA=25°C
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.01
0.1
1
10
100
-VDS (Volts)
-I
D
(A
m
p
s
)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
10
s
10s
1ms
DC
RDS(ON)
limited
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
100
s
10ms
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θθθθ
J
A
N
o
rm
a
li
z
e
d
T
ra
n
s
ie
n
t
T
h
e
rm
a
l
R
e
s
is
ta
n
c
e
Single Pulse
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
RθJA=75°C/W
Rev 7: Feb. 2011
www.aosmd.com
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PDF描述
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