參數(shù)資料
型號: AO4404B
廠商: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: GREEN, SOIC-8
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大?。?/td> 510K
代理商: AO4404B
AO4404B
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
V
G
S
(V
o
lt
s
)
Q
g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
200
400
600
800
1000
0
5
10
15
20
25
30
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
V
DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS=15V
I
D=8.5A
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.01
0.1
1
10
100
I D
(A
m
p
s
)
V
DS (Volts)
Figure 10: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
10
s
10s
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)=150°C
T
A=25°C
100
s
10ms
1.0
10.0
100.0
1
10
100
1000
I A
R
(A
)
P
e
a
k
A
v
a
la
n
c
h
e
C
u
rr
e
n
t
Time in avalanche, t
A (
s)
Figure 9: Single Pulse Avalanche capability (Note C)
T
A=25°C
T
A=150°
T
A=100°C
T
A=125°
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
V
G
S
(V
o
lt
s
)
Q
g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
200
400
600
800
1000
0
5
10
15
20
25
30
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
V
DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS=15V
I
D=8.5A
1
10
100
1000
10000
0.00001
0.001
0.1
10
1000
P
o
w
e
r
(W
)
Pulse Width (s)
Figure 11: Single Pulse Power Rating Junction-to-Ambient (Note F)
T
A=25°C
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.01
0.1
1
10
100
I D
(A
m
p
s
)
V
DS (Volts)
Figure 10: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
10
s
10s
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)=150°C
T
A=25°C
100
s
10ms
1.0
10.0
100.0
1
10
100
1000
I A
R
(A
)
P
e
a
k
A
v
a
la
n
c
h
e
C
u
rr
e
n
t
Time in avalanche, t
A (
s)
Figure 9: Single Pulse Avalanche capability (Note C)
T
A=25°C
T
A=150°
T
A=100°C
T
A=125°
Rev 2: July 2010
www.aosmd.com
Page 4 of 6
相關PDF資料
PDF描述
AO4406AL 13000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AO4420 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AO4433 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AO4600L 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AO4600 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
AO4404B_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AO4404BL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1100pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1
AO4404BL_101 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.5A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.45V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):630pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 8.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標準包裝:3,000
AO4405 制造商:AOS 功能描述:MOSFET
AO4405E 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):495pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標準包裝:3,000