參數(shù)資料
型號: AO4404B
廠商: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: GREEN, SOIC-8
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 510K
代理商: AO4404B
AO4404B
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
17
5
2
10
0
18
0
3
6
9
12
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I D
(A
)
V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
R
D
S
(O
N
)
(m
)
I
D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
N
o
rm
a
li
z
e
d
O
n
-R
e
s
is
ta
n
c
e
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS=10V
I
D=8.5A
V
GS=4.5V
I
D=8.5A
25°C
125°C
V
DS=5V
V
GS=4.5V
V
GS=10V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
2
3
4
5
I D
(A
)
V
DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=2V
4.5V
10V
2.5V
3V
40
0
3
6
9
12
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I D
(A
)
V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
R
D
S
(O
N
)
(m
)
I
D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I S
(A
)
V
SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
25°
125°
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
N
o
rm
a
li
z
e
d
O
n
-R
e
s
is
ta
n
c
e
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS=10V
I
D=8.5A
V
GS=4.5V
I
D=8.5A
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
R
D
S
(O
N
)
(m
)
V
GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
25°C
125°C
V
DS=5V
V
GS=4.5V
V
GS=10V
I
D=8.5A
25°
125°
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
2
3
4
5
I D
(A
)
V
DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=2V
4.5V
10V
2.5V
3V
Rev 2: July 2010
www.aosmd.com
Page 3 of 6
相關PDF資料
PDF描述
AO4406AL 13000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AO4420 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AO4433 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AO4600L 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AO4600 30 V, 0.027 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
AO4404B_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AO4404BL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1100pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1
AO4404BL_101 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.5A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.45V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):630pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 8.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標準包裝:3,000
AO4405 制造商:AOS 功能描述:MOSFET
AO4405E 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):495pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標準包裝:3,000