參數(shù)資料
型號： AO3434
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 179K
代理商： AO3434
10 sec
Steady-State
30
±
20
V
DS
V
GS
4.2
3.3
3.5
2.8
I
DM
1.4
0.9
1.0
0.64
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
70
100
63
Max
90
125
80
t
≤
10s
Steady-State
Steady-State
R
θ
JL
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
P
D
W
°C
I
D
Continuous Drain
Current
A,F
Pulsed Drain Current
B
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Parameter
Symbol
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
V
V
Units
Maximum
30
Maximum Junction-to-Lead
C
°C/W
Thermal Characteristics
Units
°C/W
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
R
θ
JA
Parameter
-55 to 150
AO3434
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 4.2A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 52m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 75m
(V
GS
= 4.5V)
ESD Protected
General Description
The AO3434 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge.
This device is suitable for use as a load switch or
in PWM applications. It is ESD protected.
Standard Product AO3434 is Pb-free (meets
ROHS & Sony 259 specifications).
S
G
D
TO-236
(SOT-23)
Top View
D
S
G
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO3700 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO3701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO3703 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO3703L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4400 LJT 55C 55#22D PIN RECP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AO3434A 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
AO3434L 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:
AO3435 功能描述:MOSFET P CH 20V 2.9A SOT23 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO3435_10 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:20V P-Channel MOSFET
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