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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM49DL640BG35IS |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片封裝（MCP）閃存和SRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 60/65頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1005K |
| 代理商： | AM49DL640BG35IS |
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April 1, 2003
Am49DL640AG
59
P R E L I M I N A R Y
SRAM DATA RETENTION
Notes:
1. CE1#s
≥
V
CC
– 0.2 V, CE2s
≥
V
CC
– 0.2 V (CE1#s controlled) or CE2s
≤
0.2 V (CE2s controlled), CIOs = V
SS
or V
CC
.
2. Typical values are not 100% tested.
Figure 34.
CE1#s Controlled Data Retention Mode
Figure 35.
CE2s Controlled Data Retention Mode
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Min
Typ
Max
Unit
V
DR
V
CC
for Data Retention
CS1#s
≥
V
CC
– 0.2 V (Note 1)
V
CC
= 1.8 V, CE1#s
≥
V
CC
– 0.2 V
(Note 1)
1.8
3.3
V
I
DR
Data Retention Current
70
μA
t
SDR
t
RDR
Data Retention Set-Up Time
See data retention waveforms
0
ns
Recovery Time
t
RC
ns
V
DR
V
CC
2.7V
2.2V
CE1#s
GND
Data Retention Mode
CE1#s
≥
V
CC
-
0.2 V
t
SDR
t
RDR
V
CC
2.7 V
CE2s
0.4 V
GND
V
DR
Data Retention Mode
t
SDR
t
RDR
CE2s <
0.2 V
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PDF描述 |
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