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參數(shù)資料
| 型號： | Am29LV641DL90RZE |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| 中文描述： | 64兆位（4個M x 16位），3.0伏的CMOS只均勻部門閃光控制記憶與VersatileI |
| 文件頁數(shù)： | 32/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 1467K |
| 代理商： | AM29LV641DL90RZE |
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September 20, 2002
Am29LV640D/Am29LV641D
37
TEST CONDITIONS
Table 12.
Test Specifications
Note: If V
IO < VCC, the reference level is 0.5 VIO.
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
CL
6.2 k
3.3 V
Device
Under
Test
Note: Diodes are IN3064 or equivalent
Figure 11.
Test Setup
Test Condition
90R,
101R
120R,
121R
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
V
Input timing measurement
reference levels (See Note)
1.5
V
Output timing measurement
reference levels
0.5 V
IO
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
3.0 V
0.0 V
1.5 V
0.5 VIO V
Output
Measurement Level
Input
Note: If V
IO < VCC, the input measurement reference level is 0.5 VIO.
Figure 12.
Input Waveforms and
Measurement Levels
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM3505AZERA | MICROPROCESSOR, PBGA484 |
| AM3505AZER | MICROPROCESSOR, PBGA484 |
| AM41PDS3224DT11IT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| AM42-0040 | 5900 MHz - 6400 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| AM93L425SA/DMC | 1K X 1 STANDARD SRAM, 40 ns, CDIP16 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV641ML112REI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV641ML120REI | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 64M-Bit 4M x 16 120ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV800B-120DGC1 | 制造商:Spansion 功能描述:3V 8M FLASH KNOWN GOOD DIE W/BOTTOM BOOT (COMMERCIAL TEMP) - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| AM29LV800BB | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV800BB120EC | 制造商:AMD 功能描述:* |
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