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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV116DB-70EC |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO40 |
| 封裝： | MO-142CD, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 36/44頁 |
| 文件大小： | 863K |
| 代理商： | AM29LV116DB-70EC |
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Am29LV116D
35
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system can use OE# or CE# to toggle DQ2/DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 19.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
Figure 20.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV116DB-70EI | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV116DB-120 | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV116DB-120EC | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV116DB-120EI | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV116DB-120FC | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV116DB-70EI | 制造商:Spansion 功能描述: |
| AM29LV116DB-90EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV116DT-70EC | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 16M-Bit 2M x 8 70ns 40-Pin TSOP |
| AM29LV116DT-90EI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV128MH103REI | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 100ns 56-Pin TSOP |
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