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參數(shù)資料
| 型號： | Am29LV116BT-80RFC |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位）的CMOS 3.0伏，只引導扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 36/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 544K |
| 代理商： | AM29LV116BT-80RFC |
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Am29LV116B
36
P R E L IM IN A R Y
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
80R
90
120
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
80
90
120
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
35
35
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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