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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV116BT-120EI |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO40 |
| 封裝： | TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 28/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 544K |
| 代理商： | AM29LV116BT-120EI |
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Am29LV116B
28
P R E L IM IN A R Y
TEST CONDITIONS
Table 11.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
3.3 V
Device
Under
Test
21359C-14
Figure 11.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
80R
90, 120
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
V
KS000010-PAL
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
3.0 V
0.0 V
1.5 V
1.5 V
Output
Measurement Level
Input
21359C-15
Figure 12.
Input Waveforms and Measurement Levels
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29LV116BT-120EIB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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| Am29LV116BT-120FCB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV116BT-120FE | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LV116BT-120FEB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AM29LV116DT-90EI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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