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參數(shù)資料
| 型號： | Am29LV116BT-120EEB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位）的CMOS 3.0伏，只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 34/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 544K |
| 代理商： | AM29LV116BT-120EEB |
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Am29LV116B
34
P R E L IM IN A R Y
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system can use OE# or CE# to toggle DQ2/DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
21359C-22
Figure 19.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
21359C-23
Figure 20.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV116BT-120EI | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LV116BT-120EIB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV116BT-120FC | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LV116BT-120FCB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV116BT-120FE | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AM29LV116DB-90EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV116DT-70EC | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 16M-Bit 2M x 8 70ns 40-Pin TSOP |
| AM29LV116DT-90EI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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