參數(shù)資料
型號： AM29F200B-90EEB
英文描述： 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package; Similar to IRFZ34VS with Lead Free Packaging
中文描述： x8/x16閃存EEPROM
文件頁數(shù)： 29/39頁
文件大?。?/td> 728K
代理商： AM29F200B-90EEB
Am29F002B/Am29F002NB
29
AC CHARACTERISTICS
OE#
CE#
Addresses
V
CC
WE#
Data
2AAh
SA
t
AH
t
WP
t
WC
t
AS
t
WPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
t
DS
t
VCS
t
CS
t
DH
55h
t
CH
In
Progress
Complete
t
WHWH2
VA
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
Notes:
1. SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (
”see “Write Operation Status”).
Figure 12.
Chip/Sector Erase Operation Timings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29F200B-90EI x8/x16 Flash EEPROM
AM29F200B-90FC 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package; Similar to IRL3803S with Lead Free Packaging
AM29F200B-90FE x8/x16 Flash EEPROM
AM29F200B-90FEB 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; A IRF540N with Standard Packaging
AM29F200B-90FI 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; A IRL1404ZL with Standard Packaging
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM29F200BB-120EC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F200BB-120SI 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 120ns 44-Pin SOIC
AM29F200BB-120SI\T 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 2M-Bit 256K x 8/128K x 16 120ns 44-Pin SOIC T/R
AM29F200BB-45SI 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F200BB-55EF 功能描述:閃存 2M (256KX8/128KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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