參數(shù)資料
型號(hào)： AM29F200B-120EI
英文描述： 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package; A IRF630NS with Tape and Reel Right Packaging
中文描述： x8/x16閃存EEPROM
文件頁(yè)數(shù)： 33/39頁(yè)
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代理商： AM29F200B-120EI
Am29F002B/Am29F002NB
33
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, DQ7# = complement of data written to device, D
OUT
= data written to device.
2. Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.
Figure 17.
Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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AM29F200B-120FEB x8/x16 Flash EEPROM
AM29F200B-120FI 150V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; A IRFB4019PBF with Standard Packaging
AM29F200B-120SC x8/x16 Flash EEPROM
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參數(shù)描述
AM29F200BB-120EC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F200BB-120SI 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 120ns 44-Pin SOIC
AM29F200BB-120SI\T 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 2M-Bit 256K x 8/128K x 16 120ns 44-Pin SOIC T/R
AM29F200BB-45SI 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F200BB-55EF 功能描述:閃存 2M (256KX8/128KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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