參數(shù)資料
型號： Am29F016D-120EIB
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： BLADE #24 ANGLE DEBURRING 5PC
中文描述： 16兆位（2米× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體
文件頁數(shù)： 34/45頁
文件大小： 1145K
代理商： AM29F016D-120EIB
Am29F016D
33
AC CHARACTERISTICS
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
High Z
DQ7
DQ0–DQ6
RY/BY#
t
BUSY
Complement
True
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
Status Data
Complement
Status Data
True
Valid Data
Valid Data
t
ACC
t
RC
Note:
VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data read cycle.
Figure 13.
Data# Polling Timings (During Embedded Algorithms)
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
DQ6/DQ2
RY/BY#
t
BUSY
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
t
ACC
t
RC
Valid Data
Valid Status
(stops toggling)
Valid Status
(first read)
(second read)
Valid Status
VA
Note:
VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status read cycle,
and array data read cycle.
Figure 14.
Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
相關PDF資料
PDF描述
Am29F016D-150EIB MAGNIFIER DBL CLAMP W/STAND
Am29F016D-120FIB 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
Am29F016D-150FIB 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
Am29F016D-70FCB 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
Am29F016D-90FCB FLEX CONN, 1.0 MM, SMT, LIF, STRAIGHT, 4 POSITION. WITH PICK AND PLACE TAPE, T&R RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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AM29F016D-70E4D 制造商:SOCO 功能描述:
AM29F016D-70E4F 功能描述:閃存 16M (2MX8) 70ns 5v Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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