參數(shù)資料
型號(hào)： Am29F016B-70FIB
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： CAP 82PF 100V 2% NP0(C0G) SMD-0603 TR-7 PLATED-NI/SN
中文描述： 16兆位（2米× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 30/38頁(yè)
文件大?。?/td> 477K
代理商： AM29F016B-70FIB
30
Am29F016B
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
High Z
DQ7
DQ0–DQ6
RY/BY#
t
BUSY
Complement
True
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
Status Data
Complement
Status Data
True
Valid Data
Valid Data
t
ACC
t
RC
Note:
VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data read cycle.
21444B-20
Figure 13.
Data# Polling Timings (During Embedded Algorithms)
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
DQ6/DQ2
RY/BY#
t
BUSY
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
t
ACC
t
RC
Valid Data
Valid Status
(stops toggling)
Valid Status
(first read)
(second read)
Valid Status
VA
Note:
VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status read cycle,
and array data read cycle.
21444B-21
Figure 14.
Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
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PDF描述
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