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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am29F016B-70FIB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | CAP 82PF 100V 2% NP0(C0G) SMD-0603 TR-7 PLATED-NI/SN |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 21/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 477K |
| 代理商： | AM29F016B-70FIB |
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Am29F016B
21
P R E L I M I N A R Y
Table 6.
Write Operation Status
Notes:
1. DQ7 and DQ2 require a valid address when reading status information. Refer to the appropriate subsection for further details.
2.
DQ5 switches to ‘1’ when an Embedded Program or Embedded Erase operation has exceeded the maximum timing limits.
See “DQ5: Exceeded Timing Limits” for more information.
Operation
DQ7
(Note 1)
DQ7#
0
DQ6
Toggle
Toggle
DQ5
(Note 2)
0
0
DQ3
N/A
1
DQ2
(Note 1)
No toggle
Toggle
RY/BY#
0
0
Standard
Mode
Embedded Program Algorithm
Embedded Erase Algorithm
Reading within Erase
Suspended Sector
Reading within Non-Erase
Suspended Sector
Erase-Suspend-Program
Erase
Suspend
Mode
1
No toggle
0
N/A
Toggle
1
Data
Data
Data
Data
Data
1
DQ7#
Toggle
0
N/A
N/A
0
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PDF描述 |
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