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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F016-90 |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16-Megabit (2,097,152 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2097152 × 8位）的CMOS 5.0伏只，扇區(qū)擦除閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 20/36頁 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | AM29F016-90 |
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20
Am29F016
Figure 3.
Data Polling Algorithm
DQ7 is rechecked even if DQ5 = “1” because DQ7 may change simultaneously with DQ5.
Start
Fail
No
Yes
DQ7 = Data
No
Pass
Yes
No
Yes
DQ7 = Data
DQ5 = 1
Yes
Read Byte
(DQ0–DQ7)
Addr = VA
Read Byte
(DQ0–DQ7)
Addr = VA
VA = Byte address for programming
= Any of the sector addresses within the sector
being erased during sector erase operation
= Valid address equals any non-protected sector
group address during chip erase
18805D-8
18805D-10
Figure 5.
Maximum Negative Overshoot Waveform
20 ns
20 ns
+0.8 V
–0.5 V
20 ns
–2.0 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F016B-120DGC1 | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory-Die Revision 1 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AM29F016B-120DPC1 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 16Mbit 2M x 8bit 120ns Die |
| AM29F016B120EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29F016B-120EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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