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參數(shù)資料
| 型號： | AM29BDS640GTC9WSI |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 20 ns, PBGA80 |
| 封裝： | 11 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-80 |
| 文件頁數(shù)： | 57/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 899K |
| 代理商： | AM29BDS640GTC9WSI |
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Am29BDS640G
October 31, 2002
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. The timings are similar to synchronous read timings.
2. VA = Valid Address. Two read cycles are required to
determine status. When the Embedded Algorithm
operation is complete, the toggle bits will stop toggling.
3. RDY is active with data (A18 = 0 in the Burst Mode
Configuration Register). When A18 = 1 in the Burst Mode
Configuration Register, RDY is active one clock cycle before
data.
4. AVD# must toggle between data reads.
Figure 29.
Synchronous Data Polling Timings/Toggle Bit Timings
CE#
CLK
AVD#
Addresses
OE#
Data
RDY
Status Data
Status Data
VA
VA
t
IACC
t
IACC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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