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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29BDS640GTC9WSI |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 20 ns, PBGA80 |
| 封裝： | 11 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-80 |
| 文件頁數(shù)： | 37/65頁 |
| 文件大小： | 899K |
| 代理商： | AM29BDS640GTC9WSI |
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36
Am29BDS640G
October 31, 2002
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
TEST CONDITIONS
Table 17.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
SWITCHING WAVEFORMS
C
L
Device
Under
Test
Figure 8.
Test Setup
Test Condition
All Speed Options
Unit
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–V
IO
V
Input timing measurement
reference levels
V
IO
/2
V
Output timing measurement
reference levels
V
IO
/2
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
Figure 9.
Input Waveforms and Measurement Levels
V
IO
0.0 V
Output
Measurement Level
Input
V
IO
/2
V
IO
/2
All Inputs and Outputs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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