參數(shù)資料
型號： AM1808BZCE3
廠商： Texas Instruments
文件頁數(shù)： 20/264頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC ARM9 CORTEX MCU 361NFBGA
標準包裝： 160
系列： ARM9
處理器類型： ARM 微處理器
速度： 375MHz
電壓： 1.14 V ~ 1.32 V
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 361-LFBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 361-NFBGA（13x13）
包裝： 托盤
其它名稱： 296-32613
AM1808BZCE3-ND
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SPRS653E – FEBRUARY 2010 – REVISED MARCH 2014
6.11.3.6 Bulk Bypass Capacitors
Bulk bypass capacitors are required for moderate speed bypassing of the DDR2/mDDR and other
circuitry. Table 6-25 contains the minimum numbers and capacitance required for the bulk bypass
capacitors. Note that this table only covers the bypass needs of the device and DDR2/mDDR interfaces.
Additional bulk bypass capacitance may be needed for other circuitry.
Table 6-25. Bulk Bypass Capacitors
NO.
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
1
DDR_DVDD18 Supply Bulk Bypass Capacitor Count(1)
3
Devices
2
DDR_DVDD18 Supply Bulk Bypass Total Capacitance
30
μF
3
DDR#1 Bulk Bypass Capacitor Count(1)
1
Devices
4
DDR#1 Bulk Bypass Total Capacitance
22
μF
5
DDR#2 Bulk Bypass Capacitor Count(1)(2)
1
Devices
6
DDR#2 Bulk Bypass Total Capacitance(2)
22
μF
(1)
These devices should be placed near the device they are bypassing, but preference should be given to the placement of the high-speed
(HS) bypass caps.
(2)
Only used on dual-memory systems.
6.11.3.7 High-Speed Bypass Capacitors
High-speed (HS) bypass capacitors are critical for proper DDR2/mDDR interface operation. It is
particularly
important
to
minimize
the
parasitic
series
inductance
of
the
HS
bypass
cap,
device/DDR2/mDDR power, and device/DDR2/mDDR ground connections. Table 6-26 contains the
specification for the HS bypass capacitors as well as for the power connections on the PCB.
Table 6-26. High-Speed Bypass Capacitors
NO.
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
1
HS Bypass Capacitor Package Size(1)
0402
10 Mils
2
Distance from HS bypass capacitor to device being bypassed
250
Mils
3
Number of connection vias for each HS bypass capacitor
2(2)
Vias
4
Trace length from bypass capacitor contact to connection via
1
30
Mils
5
Number of connection vias for each DDR2/mDDR device power or ground balls
1
Vias
6
Trace length from DDR2/mDDR device power ball to connection via
35
Mils
7
DDR_DVDD18 Supply HS Bypass Capacitor Count(3)
10
Devices
8
DDR_DVDD18 Supply HS Bypass Capacitor Total Capacitance
0.6
μF
9
DDR#1 HS Bypass Capacitor Count(3)
8
Devices
10
DDR#1 HS Bypass Capacitor Total Capacitance
0.4
μF
11
DDR#2 HS Bypass Capacitor Count(3)(4)
8
Devices
12
DDR#2 HS Bypass Capacitor Total Capacitance(4)
0.4
μF
(1)
LxW, 10 mil units, i.e., a 0402 is a 40x20 mil surface mount capacitor
(2)
An additional HS bypass capacitor can share the connection vias only if it is mounted on the opposite side of the board.
(3)
These devices should be placed as close as possible to the device being bypassed.
(4)
Only used on dual-memory systems.
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Peripheral Information and Electrical Specifications
Copyright 2010–2014, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Links: AM1808
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PDF描述
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