參數(shù)資料
型號： AH266_07
廠商： BCD Semiconductor Manufacturing Limited
英文描述： HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH
中文描述： 高壓霍爾效應鎖存
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： AH266_07
HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH
AH266
Data Sheet
5
Feb. 2007 Rev. 1. 1
BCD Semiconductor Manufacturing Limited
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Low Supply Voltage
V
CE
V
SAT
1
V
SAT
2
I
OL
I
CC
tr
V
CC
=5V, I
O
=100mA
I
O
=500mA
I
O
=300mA
V
DO
, V
DOB
=24V
V
CC
=24V, Output Open
R
L
=820
, C
L
=20pF
R
L
=820
, C
L
=20pF
R
L
=820
, C
L
=20pF
0.8
1.1
V
Output Saturation Voltage
1.1
1.5
V
Output Saturation Voltage
0.9
1.25
V
μ
A
Output Leakage Current
0.1
3.5
10
6
Supply Current
mA
μ
s
μ
s
μ
s
Output Rise Time
3.0
10
Output Fall Time
tf
t
0.3
1.5
Switch Time Differential
3.0
61
10
Output Zener Breakdown Voltage
V
ZO
V
(T
A
=25
o
C, V
CC
=24V, unless otherwise specified)
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Grade
Min
Typ
Max
Unit
Operating Point
B
OP
A
10
70
Gauss
B
100
Gauss
Releasing Point
B
RP
A
-70
-10
Gauss
B
-100
Gauss
Hysteresis
B
HYS
80
Gauss
Magnetic Characteristics
(T
A
=25
o
C)
V
DO
(V)
High
Low
B
HYS
V
SAT
0
S
N
B
RP
B
OP
Off-state
On-state
Turn off
Turn on
Magnetic Flux Density (Gauss)
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PDF描述
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