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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AGRB10E |
| 廠(chǎng)商： | LSI CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | AGRB10E |
Agere Systems Inc.
3
Preliminary Data Sheet
AGRB10E
February 2004
10 W, 1.0 GHz—2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Electrical Characteristics (continued)
Recommended operating conditions apply unless otherwise specified: TC = 30 °C.
Table 5. RF Characteristics (1626 MHz—1661 MHz)
1. Across band, 1626 MHz—1661 MHz.
Table 6. RF Characteristics (1805 MHz—1880 MHz)
1. Across band, 1805 MHz—1880 MHz.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (in Agere Systems Supplied Test Fixture)1
Power Gain (VDS = 28 V, POUT = 3 W, IDQ = 115 mA)
GPS
—16
—
dB
Drain Efficiency (VDS = 28 V, POUT = P1dB, IDQ = 115 mA)
η
—61
—
%
Third-order Intermodulation Distortion
(100 kHz spacing, VDS = 28 V, POUT = 10 WPEP, IDQ = 115 mA)
IM3
—
–32
—
dBc
Output Power (VDS = 28 V, 1 dB gain compression, IDQ = 115 mA)
P1dB
10
—
W
Input Return Loss
IRL
—
–10
—
dB
Ruggedness
(VDS = 28 V, POUT = 10 W, IDQ = 115 mA, VSWR = 10:1, all
angles)
ψ
No degradation in output power.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (in Agere Systems Supplied Test Fixture)1
Power Gain (VDS = 26 V, POUT = 3 W, IDQ = 115 mA)
GPS
—16
—
dB
Drain Efficiency (VDS = 26 V, POUT = P1dB, IDQ = 115 mA)
η
—60
—
%
Third-order Intermodulation Distortion
(100 kHz spacing, VDS = 26 V, POUT = 10 WPEP, IDQ = 115 mA)
IM3
—
–32
—
dBc
Output Power (VDS = 26 V, 1 dB gain compression, IDQ = 115 mA)
P1dB
—
10
—
W
Input Return Loss
IRL
—
–10
—
dB
Ruggedness
(VDS = 26 V, POUT = 10 W, IDQ = 115 mA, VSWR = 10:1, all
angles)
ψ
No degradation in output power.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| AGRB10E | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGRB10XM | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGRB10XM | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AH1401SI | DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100 BASE-T APPLICATION(S) |
| AH1401SS | DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100 BASE-T APPLICATION(S) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AGRF1000 | 功能描述:可復(fù)位保險(xiǎn)絲 AGRF1000 RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類(lèi)型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線(xiàn)間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C |
| AGRF1000-2 | 功能描述:可復(fù)位保險(xiǎn)絲 AGRF1000-2 RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類(lèi)型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線(xiàn)間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C |
| AGRF1000-AP | 制造商:MA-COM 制造商全稱(chēng):M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:PolySwitch Resettable Devices Automotive Devices |
| AGRF1100 | 功能描述:可復(fù)位保險(xiǎn)絲 AGRF1100 RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類(lèi)型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線(xiàn)間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C |
| AGRF1100-2 | 功能描述:可復(fù)位保險(xiǎn)絲 AGRF1100-2 RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類(lèi)型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線(xiàn)間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C |
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