參數(shù)資料
型號(hào)： AGR21180EF
廠商： LSI CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： FM-4
文件頁(yè)數(shù)： 11/11頁(yè)
文件大?。?/td> 227K
代理商： AGR21180EF
Agere Systems Inc.
9
Preliminary Data Sheet
AGR21180EF
April 2004
180 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 12. Spectral Plot
20
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
Carrier 2.1625 GHz
5 MHz
Span 50 MHz
2 CARRIER W-CDMA 3GPP, P/A = 8.5 dB @ 0.01% CCDF
10 MHz SPACING, 3.84 MHz CBW, POUT = 38 W,
VDD = 28 V, IDQ = 1600 mA
F1
F2
IMD3
ACPR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AH118-89G 60 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
AH125-89G 400 MHz - 3600 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
AH212-S8G 1800 MHz - 2400 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
AH212-EG 1800 MHz - 2400 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
AH225-S8G 400 MHz - 2700 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AGR26045EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR26125E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR26125EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR26125EU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
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