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參數資料
| 型號： | AGR19180EF |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | FM-4 |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 228K |
| 代理商： | AGR19180EF |
6
Agere Systems Inc.
180 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
April 2004
AGR19180EF
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus Output Power
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion versus Output Power
12
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18
1
10
100
1000
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
p
s,
P
O
W
E
R
G
A
IN
(d
B
)
Vdd = 28V
Center Frequency = 1960 MHz
Two-Tone Meas urement, 100kHz Tone Spacing
Idq = 2000mA
Idq = 2400mA
Idq = 1600mA
Idq = 1200mA
Idq = 800mA
-60
-50
-40
-30
-20
-10
1
10
100
1000
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IM
3
,
T
H
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TI
O
N
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S
T
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TI
O
N
(dB
c)
Vdd = 28V
Center Frequency = 1960 MHz
Two-Tone Measurement, 100kHz Tone Spacing
Idq = 2400mA
Idq = 800mA
Idq =1200mA
Idq =2000mA
Idq =1600mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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| AGR21030EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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