參數(shù)資料
型號(hào)： AGR19125EU
廠商： LSI CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SURFACE MOUNT PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大小： 225K
代理商： AGR19125EU
Agere Systems Inc.
5
Preliminary Data Sheet
AGR19125E
April 2004
125 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, IDQ = 1250 mA, F = 1960 MHz.
Figure 4. Output Power and Efficiency vs. Input Power
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, F = 1960 MHz, CW MEASUREMENT.
Figure 5. Power Gain vs. Output Power
0.0
20.0
40.0
60.0
80.0
100.0
120.0
140.0
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
PIN, INPUT POWER (W)S
P
OU
T,
O
U
T
P
UT
P
O
W
E
R
(
W
),
E
F
ICI
E
NCY
(
%
)S
-30.0
-25.0
-20.0
-15.0
-10.0
-5.0
0.0
IR
L,
I
N
P
U
T
RE
T
URN
LO
S
(d
B
)S
POUT
EFFICIENCY
IRL
12.00
13.00
14.00
15.00
16.00
1.00
10.00
100.00
1000.00
POUT, OUTPUT POWER (W)S
Gp
s
,P
O
W
E
R
G
A
IN
(
d
B
)S
IDQ = 1500 mA
IDQ = 900 mA
IDQ = 1250 mA
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PDF描述
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參數(shù)描述
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AGR21030EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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AGR21060E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
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