參數(shù)資料
型號： AGR19090EU
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 366K
代理商： AGR19090EU
90 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
E
0
9
0
9
1
R
G
A
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
VDD = 28 Vdc, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz, 2 carrier N-CDMA measurement.
Figure 8. ACPR vs. POUT
Test Conditions:
VDD = 28 Vdc, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz, 2 carrier N-CDMA measurement.
Figure 9. IM3 vs. POUT
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
1
10
100
POUT (W)
AC
PR
(d
Bc
)Z
IDQ = 450 mA
IDQ =1300 mA
IDQ = 1100 mA
IDQ = 850 mA
IDQ = 650 mA
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
1
10
100
POUT (W)Z
IM
3
(d
Bc
)Z
IDQ = 450 mA
IDQ =1300 mA
IDQ = 1100 mA
IDQ = 850 mA
IDQ = 650 mA
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PDF描述
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參數(shù)描述
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