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參數(shù)資料
| 型號： | AGR09045EU |
| 廠商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 307K |
| 代理商： | AGR09045EU |
45 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09045E
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 6. Power Gain vs. Power Out
Figure 7. Power Out and Drain Efficiency vs. Input Power
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
0
20
40
60
80
100
POUT (W)S
P
O
W
E
R
G
A
IN
(d
B
)S
895 MHz
865 MHz
880 MHz
VDD = 28 Vdc, IDQ = 0.45 A, TC = 30 °C
WAVEFORM = CW
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7
PIN (W)S
P
O
U
T
(W
)S
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
S
POUT
VDD = 28 V, IDQ = 0.45 A, TC = 30 °C
WAVEFORM = CW
EFFICIENCY
895 MHz
865 MHz
880 MHz
895 MHz
880 MHz
865 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AGR09045WEF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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| AGR09085E | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09085EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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