參數(shù)資料
型號(hào)： AGR09045EF
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/7頁(yè)
文件大?。?/td> 307K
代理商： AGR09045EF
AGR09045E
45 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Package Dimensions
All dimensions are in inches. Tolerances are ±0.005 in. unless specified.
AGR09045EU
AGR09045EF
PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
2
3
2
1
3
PEAK DEVICES
AGR09045EU
XXXX
1
2
3
PEAK DEVICES
AGR09045EF
XXXX
XXXX - 4 Digit Trace Code
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AGR09045EU UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19090EU L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19090EF L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19125EF L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19125EU L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AGR09045EU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:45 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09045WEF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR09070EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR09085E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09085EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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