2-28 Revision 17 Applies to 1.2 V DC Core Voltage Table 2-38 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS" />
參數(shù)資料
型號： AGLN125V2-VQG100I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 90/150頁
文件大小： 0K
描述： IC FPGA NANO 1KB 125K 100VQFP
標準包裝： 90
系列： IGLOO nano
邏輯元件/單元數(shù)： 3072
RAM 位總計： 36864
輸入/輸出數(shù)： 71
門數(shù)： 125000
電源電壓： 1.14 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應商設備封裝： 100-VQFP（14x14）
IGLOO nano DC and Switching Characteristics
2-28
Revision 17
Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Table 2-38 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Drive Strength
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
STD
1.55
4.09 0.26 0.97
1.36
1.10
4.16 3.91 2.19 2.64
ns
4 mA
STD
1.55
4.09 0.26 0.97
1.36
1.10
4.16 3.91 2.19 2.64
ns
6 mA
STD
1.55
3.45 0.26 0.97
1.36
1.10
3.51 3.32 2.43 3.03
ns
8 mA
STD
1.55
3.45 0.26 0.97
1.36
1.10
3.51 3.32 2.43 3.03
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-39 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Drive Strength
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
STD
1.55
2.68 0.26 0.97
1.36
1.10
2.72 2.26 2.19 2.74
ns
4 mA
STD
1.55
2.68 0.26 0.97
1.36
1.10
2.72 2.26 2.19 2.74
ns
6 mA
STD
1.55
2.31 0.26 0.97
1.36
1.10
2.34 1.90 2.43 3.14
ns
8 mA
STD
1.55
2.31 0.26 0.97
1.36
1.10
2.34 1.90 2.43 3.14
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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