Revision 17 2-27 Timing Characteristics Applies to 1.5 V DC Core Voltage Table 2-36 3.3 V L" />
參數資料
型號： AGLN125V2-VQG100I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數： 89/150頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA NANO 1KB 125K 100VQFP
標準包裝： 90
系列： IGLOO nano
邏輯元件/單元數： 3072
RAM 位總計： 36864
輸入/輸出數： 71
門數： 125000
電源電壓： 1.14 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應商設備封裝： 100-VQFP（14x14）
IGLOO nano Low Power Flash FPGAs
Revision 17
2-27
Timing Characteristics
Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Table 2-36 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Drive Strength
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
STD
0.97
3.52 0.19 0.86
1.16
0.66
3.59 3.42 1.75 1.90
ns
4 mA
STD
0.97
3.52 0.19 0.86
1.16
0.66
3.59 3.42 1.75 1.90
ns
6 mA
STD
0.97
2.90 0.19 0.86
1.16
0.66
2.96 2.83 1.98 2.29
ns
8 mA
STD
0.97
2.90 0.19 0.86
1.16
0.66
2.96 2.83 1.98 2.29
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-37 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Drive Strength
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
STD
0.97
2.16 0.19 0.86
1.16
0.66
2.20 1.80 1.75 1.99
ns
4 mA
STD
0.97
2.16 0.19 0.86
1.16
0.66
2.20 1.80 1.75 1.99
ns
6 mA
STD
0.97
1.79 0.19 0.86
1.16
0.66
1.83 1.45 1.98 2.38
ns
8 mA
STD
0.97
1.79 0.19 0.86
1.16
0.66
1.83 1.45 1.98 2.38
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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