Revision 13 2-77 Timing Characteristics 1.5 V DC Core Voltage Figure 2-32 Input DDR Timing Diag" />
參數(shù)資料
型號(hào)： AGLE600V5-FGG484I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 158/166頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 600K 484-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 60
系列： IGLOOe
邏輯元件/單元數(shù)： 13824
RAM 位總計(jì)： 110592
輸入/輸出數(shù)： 270
門數(shù)： 600000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 484-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 484-FPBGA（23x23）
IGLOOe Low Power Flash FPGAs
Revision 13
2-77
Timing Characteristics
1.5 V DC Core Voltage
Figure 2-32 Input DDR Timing Diagram
tDDRICLR2Q2
tDDRIREMCLR
tDDRIRECCLR
tDDRICLR2Q1
12
3
4
5
6
7
8
9
CLK
Data
CLR
Out_QR
Out_QF
tDDRICLKQ1
2
4
6
3
5
7
tDDRIHD
tDDRISUD
tDDRICLKQ2
Table 2-130 Input DDR Propagation Delays
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
Std.
Units
tDDRICLKQ1
Clock-to-Out Out_QR for Input DDR
0.48
ns
tDDRICLKQ2
Clock-to-Out Out_QF for Input DDR
0.65
ns
tDDRISUD1
Data Setup for Input DDR (negedge)
0.50
ns
tDDRISUD2
Data Setup for Input DDR (posedge)
0.40
ns
tDDRIHD1
Data Hold for Input DDR (negedge)
0.00
ns
tDDRIHD2
Data Hold for Input DDR (posedge)
0.00
ns
tDDRICLR2Q1
Asynchronous Clear to Out Out_QR for Input DDR
0.82
ns
tDDRICLR2Q2
Asynchronous Clear-to-Out Out_QF for Input DDR
0.98
ns
tDDRIREMCLR
Asynchronous Clear Removal Time for Input DDR
0.00
ns
tDDRIRECCLR
Asynchronous Clear Recovery Time for Input DDR
0.23
ns
tDDRIWCLR
Asynchronous Clear Minimum Pulse Width for Input DDR
0.19
ns
tDDRICKMPWH
Clock Minimum Pulse Width HIGH for Input DDR
0.31
ns
tDDRICKMPWL
Clock Minimum Pulse Width LOW for Input DDR
0.28
ns
FDDRIMAX
Maximum Frequency for Input DDR
250.00
MHz
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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