Revision 23 2-75 Timing Characteristics 1.2 V DC Core Voltage Figure 2-11 AC Loading Table 2-" />
參數(shù)資料
型號(hào)： AGL600V2-CS281I
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 242/250頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 600K 281-CSP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 184
系列： IGLOO
邏輯元件/單元數(shù)： 13824
RAM 位總計(jì)： 110592
輸入/輸出數(shù)： 215
門數(shù)： 600000
電源電壓： 1.14 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 281-TFBGA，CSBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 281-CSP（10x10）
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)第151頁(yè)第152頁(yè)第153頁(yè)第154頁(yè)第155頁(yè)第156頁(yè)第157頁(yè)第158頁(yè)第159頁(yè)第160頁(yè)第161頁(yè)第162頁(yè)第163頁(yè)第164頁(yè)第165頁(yè)第166頁(yè)第167頁(yè)第168頁(yè)第169頁(yè)第170頁(yè)第171頁(yè)第172頁(yè)第173頁(yè)第174頁(yè)第175頁(yè)第176頁(yè)第177頁(yè)第178頁(yè)第179頁(yè)第180頁(yè)第181頁(yè)第182頁(yè)第183頁(yè)第184頁(yè)第185頁(yè)第186頁(yè)第187頁(yè)第188頁(yè)第189頁(yè)第190頁(yè)第191頁(yè)第192頁(yè)第193頁(yè)第194頁(yè)第195頁(yè)第196頁(yè)第197頁(yè)第198頁(yè)第199頁(yè)第200頁(yè)第201頁(yè)第202頁(yè)第203頁(yè)第204頁(yè)第205頁(yè)第206頁(yè)第207頁(yè)第208頁(yè)第209頁(yè)第210頁(yè)第211頁(yè)第212頁(yè)第213頁(yè)第214頁(yè)第215頁(yè)第216頁(yè)第217頁(yè)第218頁(yè)第219頁(yè)第220頁(yè)第221頁(yè)第222頁(yè)第223頁(yè)第224頁(yè)第225頁(yè)第226頁(yè)第227頁(yè)第228頁(yè)第229頁(yè)第230頁(yè)第231頁(yè)第232頁(yè)第233頁(yè)第234頁(yè)第235頁(yè)第236頁(yè)第237頁(yè)第238頁(yè)第239頁(yè)第240頁(yè)第241頁(yè)當(dāng)前第242頁(yè)第243頁(yè)第244頁(yè)第245頁(yè)第246頁(yè)第247頁(yè)第248頁(yè)第249頁(yè)第250頁(yè)
IGLOO Low Power Flash FPGAs
Revision 23
2-75
Timing Characteristics
1.2 V DC Core Voltage
Figure 2-11 AC Loading
Table 2-130 AC Waveforms, Measuring Points, and Capacitive Loads
Input Low (V)
Input High (V)
Measuring Point* (V)
CLOAD (pF)
01.2
0.6
5
Note: *Measuring point = Vtrip. See Table 2-29 on page 2-28 for a complete table of trip points.
Test Point
Enable Path
Datapath
5 pF
R = 1 k
R to VCCI for tLZ / tZL / tZLS
R to GND for tHZ / tZH / tZHS
5 pF for tZH / tZHS / tZL / tZLS
5 pF for tHZ / tLZ
Table 2-131 1.2 V LVCMOS Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.4 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive Strength Speed Grade tDOUT tDP
tDIN tPY tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
1.55
8.37 0.26 1.60 1.10
8.04
7.17 3.94 3.52 13.82 12.95
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-132 1.2 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.14 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive Strength Speed Grade tDOUT tDP tDIN tPY tEOUT tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
1.55
3.60 0.26 1.60
1.10
3.47 3.36 3.93 3.65
9.26
9.14
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-133 1.2 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.14 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive Strength Speed Grade tDOUT tDP
tDIN tPY tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
1.55
7.59 0.26 1.59 1.10
7.29
6.54 3.30 3.35 13.08 12.33
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-134 1.2 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.14 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive Strength
Speed Grade tDOUT tDP tDIN tPY tEOUT tZL
tZH
tLZ
tHZ tZLS tZHS
Units
2 mA
Std.
1.55
3.22 0.26 1.59
1.10
3.11 2.78 3.29 3.48 8.90
8.57
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
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PDF描述
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