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參數(shù)資料
| 型號： | ADG802BRM |
| 廠商： | ANALOG DEVICES INC |
| 元件分類： | 運動控制電子 |
| 英文描述： | <0.5 ohm CMOS, Low Voltage, SPST Switches |
| 中文描述： | 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDSO8 |
| 封裝： | MO-187AA, MSOP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | ADG802BRM |
ADG801/ADG802
A BSOL UT E MA X IMUM R A T INGS
1
(T
A
= +25
°
C unless otherwise noted)
V
DD
to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
0.3 V to +7 V
Analog Inputs
2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
- 0.3 V to V
DD
+0.3 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . or 30 mA, Whichever Occurs First
Continuous Current, S or D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400 mA
Peak Current, S or D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800 mA
(Pulsed at 1 ms, 10% Duty Cycle Max)
Operating T emperature Range
E xtended . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
40
°
C to +125
°
C
Storage T emperature Range . . . . . . . . .
–
65
°
C to +150
°
C
Junction T emperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+150
°
C
μSOIC Package, Power Dissipation . . . . . . . . . . . 315 mW
θ
JA
T hermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
°
C /W
θ
JC
T hermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
°
C /W
SOT -23 Package, Power Dissipation . . . . . . . . . . 282 mW
θ
JA
T hermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . 229.6
°
C /W
θ
JC
T hermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . 91.99
°
C /W
L ead T emperature, Soldering (10seconds) . . . . . . . 300
°
C
IR Reflow, Peak T emperature . . . . . . . . . . . . . . . . .+220
°
C
E SD .....................................................................2kV
–4–
REV. PrE
PRELIMINARY TECHNICAL DATA
C AUT ION
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection. Although
the ADG801/ADG802 features proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may
occur on devices subjected to high energy electrostatic discharges. T herefore, proper ESD
precautions are recommended to avoid performance degradation or loss of functionality.
WARNNG
ESD SENSITIVE DEVICE
ORDE RING GUIDE
Model
T emperature Range
Supply Option
1
Brand
1
Package Descriptions
Package Options
AD G 801BR T
AD G 801BR M
AD G 802BR T
AD G 802BR M
–
40
°
C to +125
°
C
–
40
°
C to +125
°
C
–
40
°
C to +125
°
C
–
40
°
C to +125
°
C
3 V, 5 V
3 V, 5 V
3 V, 5 V
3 V, 5 V
SL B
SL B
SM B
SM B
SOT -23 (Plastic Surface Mount) R T -6
μSOIC (Small Outline)
SOT -23 (Plastic Surface Mount) R T -6
μSOIC (Small Outline)
RM -8
RM -8
1
Branding on SOT -23 and
μ
SOIC packages is limited to 3 characters due to space constraints.
N O T E S
1
Stresses above those listed under Absolute M aximum Ratings may
cause permanent damage to the device. T his is a stress rating only;
functional operation of the device at these or any other conditions above
those listed in the operational sections of this specification is not implied.
Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods
may affect device reliability. Only one absolute maximum rating may
be applied at any one time.
2
Overvoltages at IN, S or D will be clamped by internal diodes. Current should be
limited to the maximum ratings given.
T able I. T ruth T able
ADG801 In
ADG802 In
Switch Condition
0
1
1
0
OFF
ON
PIN C ONFIGURAT IONS
6-Lead Plastic Surface Mount (SOT -23)
(RT -6)
TOP VIEW
(Not to Scale)
6
5
4
1
2
3
NC = NO CONNECT
D
S
GND
V
DD
NC
IN
ADG801/
ADG802
8-Lead Small Outline
μ
SOIC
(RM-8)
TOP VIEW
(Not to Scale)
8
7
6
5
1
2
3
4
NC = NO CONNECT
D
NC
NC
S
GND
IN
NC
V
DD
ADG801/
ADG802
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ADG802BRT | <0.5 ohm CMOS, Low Voltage, SPST Switches |
| ADG813YRU-REEL | 0.5 CMOS 1.65 V to 3.6 V Quad SPST Switches |
| ADG813YRU-REEL7 | 0.5 CMOS 1.65 V to 3.6 V Quad SPST Switches |
| ADG813YRU | 0.5 CMOS 1.65 V to 3.6 V Quad SPST Switches |
| ADG811 | 0.5 CMOS 1.65 V to 3.6 V Quad SPST Switches |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ADG802BRM-1 | 功能描述:1 Circuit IC Switch 1:1 300 mOhm 8-MSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):上次購買時間 開關(guān)電路:SPST - 常閉 多路復(fù)用器/解復(fù)用器電路:1:1 電路數(shù):1 導(dǎo)通電阻（最大值）:300 毫歐 通道至通道匹配（ΔRon）:- 電壓 -?電源，單（V+）:1.8 V ~ 5.5 V 電壓 - 電源，雙（V±）:- 開關(guān)時間（Ton, Tof）（最大值）:45ns，15ns -3db 帶寬:12MHz 電荷注入:50pC 溝道電容 （CS(off），CD（off））:180pF，180pF 電流 - 漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串?dāng)_:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C（TA） 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-MSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| ADG802BRM-1REEL | 功能描述:1 Circuit IC Switch 1:1 300 mOhm 8-MSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時間 開關(guān)電路:SPST - 常閉 多路復(fù)用器/解復(fù)用器電路:1:1 電路數(shù):1 導(dǎo)通電阻（最大值）:300 毫歐 通道至通道匹配（ΔRon）:- 電壓 -?電源，單（V+）:1.8 V ~ 5.5 V 電壓 - 電源，雙（V±）:- 開關(guān)時間（Ton, Tof）（最大值）:45ns，15ns -3db 帶寬:12MHz 電荷注入:50pC 溝道電容 （CS(off），CD（off））:180pF，180pF 電流 - 漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串?dāng)_:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C（TA） 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-MSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| ADG802BRM-1REEL7 | 功能描述:1 Circuit IC Switch 1:1 300 mOhm 8-MSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時間 開關(guān)電路:SPST - 常閉 多路復(fù)用器/解復(fù)用器電路:1:1 電路數(shù):1 導(dǎo)通電阻（最大值）:300 毫歐 通道至通道匹配（ΔRon）:- 電壓 -?電源，單（V+）:1.8 V ~ 5.5 V 電壓 - 電源，雙（V±）:- 開關(guān)時間（Ton, Tof）（最大值）:45ns，15ns -3db 帶寬:12MHz 電荷注入:50pC 溝道電容 （CS(off），CD（off））:180pF，180pF 電流 - 漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串?dāng)_:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C（TA） 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-MSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| ADG802BRM-R2 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| ADG802BRM-REEL | 功能描述:IC SWITCH SPST 8MSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 功能:多路復(fù)用器 電路:1 x 4:1 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:- 電壓電源:雙電源 電壓 - 電源，單路/雙路(±):±5V 電流 - 電源:7mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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