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參數(shù)資料
| 型號： | AD648KR |
| 廠商： | ANALOG DEVICES INC |
| 元件分類： | 運動控制電子 |
| 英文描述： | Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp |
| 中文描述： | DUAL OP-AMP, 1500 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, PDSO8 |
| 封裝： | PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 335K |
| 代理商： | AD648KR |
AD648
REV. C
–9–
INST RUME NT AT ION AMPLIFIE R
T he AD648J’s maximum input current of 20 pA per amplifier
makes it an excellent building block for the high input imped-
ance instrumentation amplifier shown in Figure 29. T otal cur-
rent drain for this circuit is under 600
μ
A. T his configuration is
optimal for conditioning differential voltages from high imped-
ance sources.
T he overall gain of the circuit is controlled by R
G
, resulting in
the following transfer function:
V
OUT
V
IN
=
1
+
(
R
3
+
R
4)
R
G
Gains of 1 to 100 can be accommodated with gain nonlinearities
of less than 0.01%. T he maximum input current is 30 pA over
the common-mode range, with a common-mode impedance of
over 1
×
10
12
. T he capacitors C1, C2, C3 and C4 compensate
for peaking in the gain over frequency which is caused by input
capacitance.
T o calibrate this circuit, first adjust trimmer R1 for common-
mode rejection with +10 volts dc applied to the input pins.
Next, adjust R2 for zero offset at V
OUT
with both inputs
grounded. T rim the circuit a second time for optimal
performance.
T he –3 dB small signal bandwidth for this low power instru-
mentation amplifier is 700 kHz for a gain of 1 and 10 kHz for a
gain of 100. T he typical output slew rate is 1.8 V/
μ
s.
Figure 29. Low Power Instrumentation Amplifier
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AD648S | Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp |
| AD648SQ | Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp |
| AD648T | Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp |
| AD648SCHIPS | Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp |
| AD648JCHIPS | Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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