2-8 Revision 11 Power Consumption of Various Internal Resources Table 2-10 Different Compon" />
參數(shù)資料
型號： A3PN060-Z2VQ100I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 30/114頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位總計： 18432
輸入/輸出數(shù)： 71
門數(shù)： 60000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-8
Revision 11
Power Consumption of Various Internal Resources
Table 2-10 Different Components Contributing to Dynamic Power Consumption in ProASIC3 nano Devices
Parameter
Definition
Device Specific Dynamic Contributions
(W/MHz)
A3PN2
50
A3PN1
25
A3PN0
60
A3PN0
20
A3PN0
15
A3PN0
10
PAC1
Clock contribution of a Global Rib
11.03
9.3
PAC2
Clock contribution of a Global Spine
1.58
0.81
0.4
PAC3
Clock contribution of a VersaTile row
0.81
PAC4
Clock contribution of a VersaTile used as a
sequential module
0.12
PAC5
First contribution of a VersaTile used as a
sequential module
0.07
PAC6
Second contribution of a VersaTile used as a
sequential module
0.29
PAC7
Contribution of a VersaTile used as a
combinatorial Module
0.29
PAC8
Average contribution of a routing net
0.70
PAC9
Contribution of an I/O input pin
(standard-dependent)
PAC10
Contribution of an I/O output pin
(standard-dependent)
PAC11
Average contribution of a RAM block during a read
operation
25.00
N/A
PAC12
Average contribution of a RAM block during a write
operation
30.00
N/A
PAC13
Dynamic contribution for PLL
2.60
N/A
Note: For a different output load, drive strength, or slew rate, Microsemi recommends using the Microsemi Power
spreadsheet calculator or SmartPower tool in Libero SoC.
Table 2-11 Different Components Contributing to the Static Power Consumption in ProASIC3 nano Devices
Parameter
Definition
Device Specific Static Power (mW)
A3PN25
0
A3PN12
5
A3PN06
0
A3PN02
0
A3PN01
5
A3PN01
0
PDC1
Array static power in Active mode
PDC4
Static PLL contribution 1
2.55
N/A
PDC5
Bank quiescent power (VCCI-dependent)
Notes:
1. Minimum contribution of the PLL when running at lowest frequency.
2. For a different output load, drive strength, or slew rate, Microsemi recommends using the Microsemi Power spreadsheet
calculator or SmartPower tool in Libero SoC.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
A3PN060-Z2VQG100I IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP
AYM30DTAH-S189 CONN EDGECARD 60POS R/A .156 SLD
ASM30DTAH-S189 CONN EDGECARD 60POS R/A .156 SLD
AGM30DTAH-S189 CONN EDGECARD 60POS R/A .156 SLD
AYM30DTAD-S189 CONN EDGECARD 60POS R/A .156 SLD
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參數(shù)描述
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A3PN060-Z2VQG100I 功能描述:IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14）
A3PN060-ZVQ100 功能描述:IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14）
A3PN060-ZVQ100I 功能描述:IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP（14x14）
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