2-18 Revision 11 Table 2-18 Summary of I/O Timing Characteristics—Software Default Settings" />
參數(shù)資料
型號(hào)： A3PN060-Z2VQ100
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 41/114頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位總計(jì)： 18432
輸入/輸出數(shù)： 71
門(mén)數(shù)： 60000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)當(dāng)前第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-18
Revision 11
Table 2-18 Summary of I/O Timing Characteristics—Software Default Settings (at 35 pF)
STD Speed Grade, Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst Case VCC = 1.425 V
For A3PN060, A3PN125, and A3PN250
I/O Standard
D
rive
S
tre
ng
th
(mA)
Eq
ui
va
le
nt
Sof
twar
eDefau
lt
D
rive
S
tre
ng
th
Op
tio
n
1
Slew
Rate
C
ap
a
citive
L
o
a
d
(pF
)
t DO
U
T
(ns)
t DP
(ns)
t DI
N
(ns)
t PY
(ns)
t PYS
(ns)
t EOUT
(ns)
t ZL
(ns)
t ZH
(ns)
t LZ
(ns)
t HZ
(ns)
3.3 V LVTTL /
3.3 V LVCMOS
8
8 mA High
35
0.60
4.57 0.04 1.13 1.52 0.43 4.64 3.92 2.60 3.14
3.3 V LVCMOS
Wide Range
100 A 8 mA High
35
0.60
6.78 0.04 1.57 2.18 0.43 6.78 5.72 3.72 4.35
2.5 V LVCMOS
8
8 mA High
35
0.60
4.94 0.04 1.43 1.63 0.43 4.71 4.94 2.60 2.98
1.8 V LVCMOS
4
4 mA High
35
0.60
6.53 0.04 1.35 1.90 0.43 5.53 6.53 2.62 2.89
1.5 V LVCMOS
2
2 mA High
35
0.60
7.86 0.04 1.56 2.14 0.43 6.45 7.86 2.66 2.83
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide range, as specified in the JESD8-B specification.
3. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
Table 2-19 Summary of I/O Timing Characteristics—Software Default Settings (at 10 pF)
STD Speed Grade, Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst Case VCC = 1.425 V
For A3PN020, A3PN015, and A3PN010
I/O Standard
Drive
S
trength
(mA)
E
qui
va
le
n
tSo
ft
w
a
re
De
fa
ult
Drive
S
trength
Option
1
Sl
ew
Rat
e
Cap
a
citive
L
o
a
d
(pF
)
t DO
UT
(ns)
t DP
(ns)
t DI
N
(ns)
t PY
(ns)
t PYS
(ns)
t EO
U
T
(ns)
t ZL
(ns)
t ZH
(ns)
t LZ
(ns)
t HZ
(ns)
3.3 V LVTTL /
3.3 V LVCMOS
8
8 mA
High
10
0.60 2.73 0.04 1.13 1.52 0.43 2.77 2.23 2.60 3.14
3.3 V LVCMOS
Wide Range
100 A 8 mA
High
10
0.603.940.041.572.180.433.943.163.724.35
2.5 V LVCMOS
8
8 mA
High
10
0.60 2.76 0.04 1.43 1.63 0.43 2.80 2.60 2.60 2.98
1.8 V LVCMOS
4
4 mA
High
10
0.60 3.22 0.04 1.35 1.90 0.43 3.24 3.22 2.62 2.89
1.5 V LVCMOS
2
2 mA
High
10
0.60 3.76 0.04 1.56 2.14 0.43 3.74 3.76 2.66 2.83
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide range, as specified in the JESD8-B specification.
3. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
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PDF描述
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