2-70 Revision 11 Embedded FlashROM Characteristics Timing Characteristics Figure 2-39
參數(shù)資料
型號(hào)： A3PN010-2QNG48
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 98/114頁
文件大小： 0K
描述： IC FPGA NANO 10K GATES 48-QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 260
系列： ProASIC3 nano
輸入/輸出數(shù)： 34
門數(shù)： 10000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 48-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 48-QFN（6x6）
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-70
Revision 11
Embedded FlashROM Characteristics
Timing Characteristics
Figure 2-39 Timing Diagram
A0
A1
tSU
tHOLD
tSU
tHOLD
tSU
tHOLD
tCKQ2
CLK
Address
Data
D0
D1
Table 2-77 Embedded FlashROM Access Time
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1
Std.
Units
tSU
Address Setup Time
0.53
0.61
0.71
ns
tHOLD
Address Hold Time
0.00
ns
tCK2Q
Clock to Out
16.23
18.48
21.73
ns
FMAX
Maximum Clock Frequency
15.00
MHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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