Revision 13 2-31 LVDS 24 mA – High – – 0.66 1.43 0.04 1.85 ––– ––––– ns LVPECL 24 mA – High – – 0.66 1.37 0.04 1.6" />
參數(shù)資料
型號(hào): A3P600L-1FGG256I
廠商: Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù): 185/242頁(yè)
文件大小: 0K
描述: IC FPGA 1KB FLASH 600K 256-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 90
系列: ProASIC3L
RAM 位總計(jì): 110592
輸入/輸出數(shù): 177
門數(shù): 600000
電源電壓: 1.14V ~ 1.575 V
安裝類型: 表面貼裝
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 256-LBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 256-FPBGA(17x17)
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ProASIC3L Low Power Flash FPGAs
Revision 13
2-31
LVDS
24 mA
High –
– 0.66 1.43 0.04 1.85
–––
–––––
ns
LVPECL
24 mA
High –
– 0.66 1.37 0.04 1.67
–––
–––––
ns
Table 2-33 Summary of I/O Timing Characteristics—Software Default Settings
–1 Speed Grade, Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst Case VCC = 1.14 V, Worst Case
VCCI
Advanced I/O Banks
I/O Standard
Drive
S
trength
(mA)
Equiv
.Sof
tware
Default
Dri
v
eS
tre
ng
th
Opt
ion
1
Slew
Rate
Ca
p
ac
itive
L
o
ad
(p
F)
Ex
ter
n
al
R
esi
sto
r(
)
t DO
U
T(ns)
t DP
(ns)
t DI
N
(ns)
t PY
(n
s)
tE
O
U
T
(ns)
t ZL
(ns)
t ZH
(ns)
t LZ
(ns)
t HZ
(ns)
t ZL
S
(ns)
t ZH
S
(ns)
Unit
s
3.3 V LVTTL /
3.3 V LVCMOS
12 mA 12 mA High 5 pF
– 0.60 1.83 0.04 0.78 0.43 1.87 1.39 2.46 2.74 3.58 3.10 ns
3.3 V LVCMOS
Wide Range1,2
100 A 12 mA High 5 pF
ns
2.5 V LVCMOS
12 mA 12 mA High 5 pF
– 0.60 1.85 0.04 1.00 0.43 1.88 1.55 2.53 2.63 3.59 3.26 ns
1.8 V LVCMOS
12 mA 12 mA High 5 pF
– 0.60 2.04 0.04 0.93 0.43 2.08 1.73 2.83 3.12 3.79 3.45 ns
1.5 V LVCMOS
12 mA 12 mA High 5 pF
– 0.60 2.33 0.04 1.10 0.43 2.37 2.01 3.02 3.22 4.08 3.72 ns
1.2 V LVCMOS
2 mA
2 mA High 5pF
– 0.60 3.17 0.04 1.55 0.43 2.11 1.76 2.38 2.46 3.76 3.41 ns
1.2 V LVCMOS
Wide Range1,3
100 A 2 mA High 5 pF
ns
3.3 V PCI
Per
PCI
spec.
High 10
pF
25 4 0.60 2.05 0.04 0.66 0.43 2.09 1.49 2.46 2.74 3.80 3.21 ns
Table 2-32 Summary of I/O Timing Characteristics—Software Default Settings
–1 Speed Grade, Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst Case VCC = 1.14 V,
Worst Case VCCI
Pro I/O Banks
Standard
D
rive
S
tre
ng
th
(mA)
Equiv
.S
o
ft
ware
Default
D
rive
S
tre
ng
th
Op
tio
n
1
Slew
Rate
C
ap
a
citive
L
o
a
d
(pF
)
Ex
tern
al
Re
sistor
(
)
t DO
UT
(ns)
t DP
(ns)
t DI
N
(ns)
t PY
(ns)
t PYS
(ns)
t EOUT
(ns)
t ZL
(ns)
t ZH
(ns)
t LZ
(ns)
t HZ
(ns)
t ZL
S
(ns)
t ZH
S
(n
s)
Un
it
s
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 1.2 V or LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is
±100 A. Drive strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the
IBIS models.
2. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide range as specified in the JESD8-B specification.
3. All LVCMOS 1.2 V software macros support LVCMOS 1.2 V wide range as specified in the JESD8-12 specification.
4. Resistance is used to measure I/O propagation delays as defined in PCI specifications. See Figure 2-12 on page 2-81 for
connectivity. This resistor is not required during normal operation.
5. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
6. Output drive strength is below JEDEC specification.
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PDF描述
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A3P600L-1FGG484I 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 600K 484-FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列) 系列:ProASIC3L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 系列:SX-A LAB/CLB數(shù):6036 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):360 門數(shù):108000 電源電壓:2.25 V ~ 5.25 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:484-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:484-FPBGA(27X27)
A3P600L-1PQ208 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 600K 208-PQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列) 系列:ProASIC3L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:90 系列:ProASIC3 LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):36864 輸入/輸出數(shù):157 門數(shù):250000 電源電壓:1.425 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-FPBGA(17x17)
A3P600L-1PQ208I 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 600K 208-PQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列) 系列:ProASIC3L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 系列:SX-A LAB/CLB數(shù):6036 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):360 門數(shù):108000 電源電壓:2.25 V ~ 5.25 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:484-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:484-FPBGA(27X27)
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