2-74 Revision 13 Table 2-109 1.5 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
參數(shù)資料
型號： A3P250L-1VQG100I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 233/242頁
文件大小： 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 250K 100-VQFP
標準包裝： 90
系列： ProASIC3L
RAM 位總計： 36864
輸入/輸出數(shù)： 68
門數(shù)： 250000
電源電壓： 1.14V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
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ProASIC3L DC and Switching Characteristics
2-74
Revision 13
Table 2-109 1.5 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.4 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
2 mA
Std.
0.70
8.00
0.05
1.18
0.50
8.15
7.01
3.06
2.38
10.16
9.02
ns
–1
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Std.
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–1
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6.05
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ns
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8 mA
Std.
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6.11
3.56
3.64
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8.12
ns
–1
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0.04
1.00
0.43
5.56
5.20
3.03
3.10
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ns
12 mA
Std.
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6.53
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3.56
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8.54
8.12
ns
–1
0.60
5.45
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0.43
5.56
5.20
3.03
3.10
7.27
6.91
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-110 1.5 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.4 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
2 mA
Std.
0.70
3.26
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ns
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Std.
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3.02
3.22
4.08
3.72
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
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A3P250L-FG256I 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 250K 256-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3L 標準包裝:90 系列:ProASIC3 LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計:36864 輸入/輸出數(shù):157 門數(shù):250000 電源電壓:1.425 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-FPBGA（17x17）
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