2-62 Revision 13 Table 2-82 1.5 V LVCMOS High Slew Commercial-Case Conditions: " />
參數(shù)資料
型號(hào)： A3P1000-FGG484
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 195/220頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 1M 484-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 40
系列： ProASIC3
RAM 位總計(jì)： 147456
輸入/輸出數(shù)： 300
門數(shù)： 1000000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 484-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 484-FPBGA（23x23）
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁當(dāng)前第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁
ProASIC3 DC and Switching Characteristics
2-62
Revision 13
Table 2-82 1.5 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 1.4 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
0.66
7.83
0.04
1.42
0.43
6.42
7.83
2.71
2.55
8.65
10.07
ns
–1
0.56
6.66
0.04
1.21
0.36
5.46
6.66
2.31
2.17
7.36
8.56
ns
–2
0.49
5.85
0.03
1.06
0.32
4.79
5.85
2.02
1.90
6.46
7.52
ns
4 mA
Std.
0.66
4.84
0.04
1.42
0.43
4.49
4.84
3.03
3.13
6.72
7.08
ns
–1
0.56
4.12
0.04
1.21
0.36
3.82
4.12
2.58
2.66
5.72
6.02
ns
–2
0.49
3.61
0.03
1.06
0.32
3.35
3.61
2.26
2.34
5.02
5.28
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-83 1.5 V LVCMOS Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 1.4 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
0.66
12.08 0.04 1.42
0.43
12.01 12.08 2.72 2.43 14.24 14.31
ns
–1
0.56
10.27 0.04 1.21
0.36
10.21 10.27 2.31 2.06 12.12 12.18
ns
–2
0.49
9.02
0.03 1.06
0.32
8.97
9.02
2.03 1.81 10.64 10.69
ns
4 mA
Std.
0.66
9.28
0.04 1.42
0.43
9.45
8.91
3.04 3.00 11.69 11.15
ns
–1
0.56
7.89
0.04 1.21
0.36
8.04
7.58
2.58 2.55
9.94
9.49
ns
–2
0.49
6.93
0.03 1.06
0.32
7.06
6.66
2.27 2.24
8.73
8.33
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-84 1.5 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Standard I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
Std.
0.66
7.65
0.04
1.42
0.43
6.31
7.65
2.45
ns
–1
0.56
6.50
0.04
1.21
0.36
5.37
6.50
2.08
ns
–2
0.49
5.71
0.03
1.06
0.32
4.71
5.71
1.83
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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