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APTGL60DDA120T3G

APTGL60DDA120T3G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

APTGL60DDA120T3G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

APTGL60DDA120T3G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APTGL60DDA120T3G
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
IGBT4 MODULE TRENCH
22+
-

APTGL60DDA120T3G
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現(xiàn)貨，

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功能描述
IGBT4 MODULE TRENCH 1200V SP3
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-227B

APTGL60DDA120T3G 技術(shù)參數(shù)

APTGL475U120DAG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 610A 2307W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2307W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，400A 電流 - 集電極截止（最大值）:4mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:24.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGL475U120D4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 610A 2082W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2082W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，400A 電流 - 集電極截止（最大值）:4mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:24.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D4 供應(yīng)商器件封裝:D4 標準包裝:1 APTGL475SK120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 610A 2080W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，400A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:24.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-3 模塊供應(yīng)商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTGL475DA120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 610A 2080W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，400A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:24.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-3 模塊供應(yīng)商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTGL475A120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 610A 2080W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，400A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:24.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-3 模塊供應(yīng)商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTGL90DDA120T3G APTGL90DH120T3G APTGL90DSK120T3G APTGL90H120T3G APTGL90SK120T1G APTGLQ100A120T3AG APTGLQ100A120TG APTGLQ100A65T1G APTGLQ100DA120T1G APTGLQ100H65T3G APTGLQ150A120TG APTGLQ150H120G APTGLQ200A120T3AG APTGLQ200H120G APTGLQ200H65G APTGLQ200HR120G APTGLQ25H120T1G APTGLQ25H120T2G