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APTGLQ30H65T3G

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APTGLQ30H65T3G
    APTGLQ30H65T3G

    APTGLQ30H65T3G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • Module

  • 23+

  • -

  • 微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APTGLQ30H65T3G
    APTGLQ30H65T3G

    APTGLQ30H65T3G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
APTGLQ30H65T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • POWER MODULE - IGBT
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • IGBT 類(lèi)型
  • 溝槽型場(chǎng)截止
  • 配置
  • 全橋
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 650V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 40A
  • 功率 - 最大值
  • 95W
  • 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
  • 2.3V @ 15V，30A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）
  • 50μA
  • 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）
  • 1.9nF @ 25V
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 是
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • 模塊
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
APTGLQ30H65T3G 技術(shù)參數(shù)
  • APTGLQ300SK120G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:降壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500A 功率 - 最大值:1500W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.42V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:17.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ300H65G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 600A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:18.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ300A120G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500A 功率 - 最大值:1500W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.42V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:17.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ25H120T2G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:165W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.42V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.43nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ25H120T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:165W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.42V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.43nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG APTGT100A170D1G APTGT100A170TG APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG
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免責(zé)聲明：以上所展示的APTGLQ30H65T3G信息由會(huì)員自行提供，APTGLQ30H65T3G內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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